快科技9月29日消息，据DIGITIMES报道，新加坡近日举行Innovate Together 2026大会，ASM、ASMPT及KLA等半导体设备大厂围绕先进封装的技术挑战展开深入讨论。随着HBM堆叠层数向20层迈进，量测与良率控制正成为先进封装领域最严峻的考验。HBM堆叠层数的提升带来了指数级增长的工艺难度。据行业估算，若单颗DRAM裸片良率为95%，12层堆叠的理论良率仅约54%，20层堆叠的良率将降至约36%。任何一层、任何一组连接出现问题，都可能导致整颗昂贵芯片报废。混合键合被视为实现20层以上堆叠的关键技术。该技术通过铜-铜直接键合替代传统微凸点，可显著提升互连密度与散热性能。但